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Hochwertiger <span class=keywords><strong>MOS</strong></span>-<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> MOSFET N-CH 100 V 12,8 A TO-220 FQP13N10

Hochwertiger MOS-Transistor MOSFET N-CH 100 V 12,8 A TO-220 FQP13N10

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(MRF150 New Original <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> Ready Stock) MRF150

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New Original Processor chip PIC12LF1572T-I/<strong>RF</strong> UDFN-8 Support BOM Fast delivery

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IRFS11N50APBF TO-252-3/DPAK Vishay Power <span class=keywords><strong>MOS</strong></span> FET = LYS

IRFS11N50APBF TO-252-3/DPAK Vishay Power MOS FET = LYS

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NTD3055L170T4G 3170L TO-252 <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span>-MOSFET-<span class=keywords><strong>MOS</strong></span> Neue Original-IC-Chip-integrierte Schaltung

NTD3055L170T4G 3170L TO-252 Transistor-MOSFET-MOS Neue Original-IC-Chip-integrierte Schaltung

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TSM2314CX <span class=keywords><strong>RF</strong></span>-VB neues Original auf Lager Chip <span class=keywords><strong>Transistor</strong></span> Andere integrierte Schaltung IC

TSM2314CX RF-VB neues Original auf Lager Chip Transistor Andere integrierte Schaltung IC

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NVMFS5C456NLAFT1G NVMFS5C456 DFN-8 Original 5C430L N-Kanal 40V <span class=keywords><strong>MOS</strong></span> Feld-Effekt-<span class=keywords><strong>Transistor</strong></span>

NVMFS5C456NLAFT1G NVMFS5C456 DFN-8 Original 5C430L N-Kanal 40V MOS Feld-Effekt-Transistor

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Verwendet: RD60HUF1-Hochfrequenz geräte-Silizium-HF-Geräte HF-Hochleistungs-<span class=keywords><strong>MOS</strong></span>-FETs (diskret) Original <span class=keywords><strong>transistor</strong></span>

Verwendet: RD60HUF1-Hochfrequenz geräte-Silizium-HF-Geräte HF-Hochleistungs-MOS-FETs (diskret) Original transistor

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