Ursprungsort
Taiwan, Japan
Lieferantentyp
Original hersteller
Media Verfügbar
Datenblatt
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
Original
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Original
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Original
Frequenz-Übergang
Original
Betriebstemperatur
Original
Befestigungstyp
Perforation
Widerstand-Basis (R1)
Original
Widerstand-Emitter Basis (R2)
Original
FET Feature
Siliziumkarbid (SiC)
Drain Quelle Spannung (Vdss)
Original
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
Original
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Original
Vgs (th) (Max) @ Id
Original
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Original
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Original
Nennstrom (Ampere)
Original
Spannung-Bewertet
Original
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
Original
