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TO-3P/220/247/254/257/258/264 AlN-Aluminiumnitrid-Keramik-Wärme leit pads für MOSFET-Transistor-IGBT-Transistor-Kühlkörper

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Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd. Sonderanfertiger 13 yrs CN
TO-3P/220/247/254/257/258/264 AlN-Aluminiumnitrid-Keramik-Wärme leit pads für MOSFET-Transistor-IGBT-Transistor-Kühlkörper
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Haupteigenschaften

Branchenspezifische

Material
Alumina Keramik

Weitere

Ursprungsort
Fujian, China
Art
Keramikbrett
Anwendung
Industrielles keramisches
Modellnummer
Aluminum Nitride Ceramic Substrate
Markenname
INNOVACERA
Verarbeitung Service
Schneiden
Wärme leitfähig keit
180,00/200,00/220,00
Farbe
Grau
Schüttdichte
3,30
Vickers Härte (Last 500g)
10,00
Biege festigkeit
≥ 350
Druckfest igkeit
2.500,00
Poisson-Verhältnis
0,24
Lineare thermische Ausdehnung des Koeffizienten
4,8
Hauptmerkmale
Hohe Wärme leitfähig keit, aus gezeichneter Plasma widerstand
Haupt anwendungen
Wärme ableitende Teile, Plasma-Widerstands teil

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
15X15X11 cm
Einzelbruttogewicht:
0.001 kg
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