NGM100FFB120C2T1 IGBT-Triode Hoch leistungs modul elektronisches Teil IGBT-Transistor modul diskreter Halbleiter wechsel richter andere ic

Name: NGM100FFB120C2T1 IGBT-Triode Hoch leistungs modul elektronisches Teil IGBT-Transistor modul diskreter Halbleiter wechsel richter andere ic
Brand: Shanghai Niuqi Chip Technology Co., Ltd.
SKU: 1601231561803
Price: 165.25 USD
Availability: InStock

Noch keine Bewertungen

Shanghai Niuqi Chip Technology Co., Ltd. 1 yr

NGM100FFB120C2T1 IGBT-Triode Hoch leistungs modul elektronisches Teil IGBT-Transistor modul diskreter Halbleiter wechsel richter andere ic

Haupteigenschaften

Weitere

Ursprungsort

Shanghai, China

Markenname

niusemi

Modellnummer

NGM100FFB120C2T1

Art

1200v/100a 2 in einem Paket

Montage Typ

Fuß montage

Beschreibung

Temperatur stabil

Anwendung

Leistungs umwandlung und-steuerung

Serie

100 n120

Merkmale

Gehäuse mit niedriger Vcesat und niedriger Induktivität

Herstellung Datum Code

20240715

Vcepremient daten vces

1200v

Ic nom

100a

Icrm

200a

Bearbeitungszeit

Produktbeschreibung des Lieferanten

1 - 89 Stück

177,19 €

90 - 499 Stück

172,15 €

500 - 999 Stück

165,94 €

>= 1000 Stück

161,13 €

Ausführungen

Insgesamt:

Auswählen

Versand

Für die ausgewählte Menge sind derzeit keine Versandlösungen verfügbar

Schutz für dieses Produkt

Sicherer Zahlungsverkehr

Jede Zahlung auf Cooig.com ist durch strenge SSL-Verschlüsselung und PCI-Datensicherheitsstandards gesichert.

Rückerstattungsrichtlinie und Easy Return

Fordern Sie eine Rückerstattung ein, wenn Ihre Bestellung nicht versendet wurde, verloren gegangen ist oder mit Produktmängeln geliefert wurde plus versandkostenfreie lokale Retoure für nicht funktionsfähige Produkte

Menge (Stück)	1 - 1	2 - 90	91 - 500	> 500
Vsl. Dauer (Tage)	7	15	21	Zu bestimmen