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KTBFS481H6327XTSA1 Original diskrete Halbleiter produkte Transistoren Bipolar RF 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
BFS481H6327XTSA1
Art
Transistors
Markenname
Original Original Brand
Paket-Art
6-vssop

Andere Merkmale

Montage Typ
Oberflächen montage n/a
Beschreibung
Rf trans 2 npn 12v 8ghz SOT363-6
Ursprungsort
Original
Paket/Fall
6-vssop
Art
Transistoren
Betriebstemperatur
150 °c (tj) n/a
Serie
Bfs481
D/c
Neu
Anwendung
-
Lieferantentyp
Transistoren
Kreuz Referenz
Andere
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
Bfs481h6327xtsa1
Strom-Collector (Ic) (Max)
N/a
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
N/a
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
N/a
Strom-Collector Cutoff (Max)
N/a
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
N/a
Power-Max
N/a
Frequenz-Übergang
N/a
Betriebstemperatur
150°C (TJ) N/A
Befestigungstyp
Surface Mount N/A
Widerstand-Basis (R1)
N/a
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
FET Typ
Transistoren
FET Feature
Siliziumkarbid (SiC)
Drain Quelle Spannung (Vdss)
-
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
-
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Frequenz
-
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
-
Power-Ausgang
-
Spannung-Bewertet
-
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
-
Vgs (Max)
-
IGBT Typ
-
Konfiguration
Einzel
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
-
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Eingang
-
Ntc
-
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
-
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Strom Drain (Id)-Max
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Widerstand-RDS (Auf)
-
Spannung
-
Spannung-Ausgang
-
Spannung-Offset (Vt)
-
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
-
Strom-Tal (Iv)
-
Strom-Spitzen
-
Anwendungen
-
Transistor Typ
-
Modellnummer
Bfs481h6327xtsa1
Service
Pcba/pcb/smt/bom liste

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
25X25X25 cm
Einzelbruttogewicht:
1.900 kg

Beschaffungszeit

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