Beschreibung
Transistor Mosfet
Ursprungsort
Kedah, Malaysia
Lieferantentyp
Ursprünglicher Hersteller, ODM, Agentur
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle
Strom-Collector (Ic) (Max)
.
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
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Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
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Strom-Collector Cutoff (Max)
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Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
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Widerstand-Emitter Basis (R2)
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Drain Quelle Spannung (Vdss)
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Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
..
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
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Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
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Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
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Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
.
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
.
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
.
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
.
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
.
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
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Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
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Versand durch
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Zahlungs möglichkeiten
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