Bester Preis Original integrierte Schaltung IRF9630PBF 200V P-Ch IRF9630 TO-220 Leistungs-MOSFET-Transistor

Name: Bester Preis Original integrierte Schaltung IRF9630PBF 200V P-Ch IRF9630 TO-220 Leistungs-MOSFET-Transistor
Brand: Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.
SKU: 1601268820536
Price: 0.25 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd. 4 yrs

Bester Preis Original integrierte Schaltung IRF9630PBF 200V P-Ch IRF9630 TO-220 Leistungs-MOSFET-Transistor

Hohe Leistungs behandlungs kapazität: Dieser Transistor verfügt über eine hohe Stromstärke von 200V und eignet sich damit für Anwendungen, die eine hohe Leistung erfordern, wie z. B. Motors teuerung, Netzteile und Audio verstärker.
Niedriger Einstiegs widerstand: Mit einem niedrigen Standard widerstand gewähr leistet dieser MOSFET-Transistor eine effiziente Leistungs umschaltung und einen minimalen Energie verlust und ist damit ideal für Anwendungen, bei denen der Strom verbrauch ein Problem darstellt.
Surface Mount Package: Das TO-220AB paket dieses Transistors ermöglicht eine einfache Montage und einen reduzierten Platzbedarf, sodass er für kompakte Designs und Oberflächen montage geeignet ist.
Hohe Schalt geschwindigkeit: Dieser Transistor verfügt über eine hohe Schalt geschwindigkeit und eignet sich daher für Anwendungen, die schnelle Schaltzeiten erfordern, wie z. B. Netzteile, Motors teuerung und Audio verstärker.
Breiter Betriebs temperatur bereich: Mit einem Standard-Betriebs temperatur bereich kann dieser Transistor einen weiten Bereich von Betriebs temperaturen bewältigen und eignet sich so für Anwendungen in rauen Umgebungen und unterschied lichen Temperaturen.

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Haupteigenschaften

Branchenspezifische

Modellnummer

IRF9630PBF

Art

Mosfet, mosfet

Markenname

Paket-Art

Oberfläche Montieren

Weitere

Beschreibung

Standard

Ursprungsort

Guangdong, China

Paket/Fall

TO-220AB

Betriebstemperatur

Standard, Standard

Serie

Standard

D/c

Neueste

Anwendung

Standard

Lieferantentyp

Standard

Kreuz Referenz

Standard

Media Verfügbar

Standard

Strom-Collector (Ic) (Max)

Standard

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Standard

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Standard

Strom-Collector Cutoff (Max)

Standard

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Standard

Power-Max

Standard

Frequenz-Übergang

Standard

Widerstand-Basis (R1)

Standard

Widerstand-Emitter Basis (R2)

Standard

FET Typ

Standard

FET Feature

Standard

Drain Quelle Spannung (Vdss)

Standard

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

Standard

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

Standard

Vgs (th) (Max) @ Id

Standard

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Standard

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

Standard

Frequenz

Standard

Nennstrom (Ampere)

Standard

Rauschzahl

Standard

Power-Ausgang

Standard

Spannung-Bewertet

Standard

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

Standard

Vgs (Max)

Standard

IGBT Typ

Standard

Konfiguration

Standard

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

Standard

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

Standard

Eingang

Standard

Ntc

Standard

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

Standard

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Standard

Strom Drain (Id)-Max

Standard

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

Standard

Widerstand-RDS (Auf)

Standard

Spannung-Ausgang

Standard

Spannung-Offset (Vt)

Standard

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

Standard

Strom-Tal (Iv)

Standard

Strom-Spitzen

Standard

Transistor Typ

Mosfetd

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