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2 N7002ET1G Kleinsignal-Felde ffekt transistoren Trans MOSFET N-CH 60V 0,26 A 3-polige integrierte SOT-23 T/R-Schaltkreise 2 N7002ET1G

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Haupteigenschaften

Branchenspezifische

Modellnummer
2N7002ET1G
Art
MOSFET
Markenname
Original
Paket-Art
Oberfläche Montieren

Weitere

Montage Typ
Standard
Beschreibung
Standard
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Art
MOSFET
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
D/c
NEW
Anwendung
Consumer Electronics, Industrial
Lieferantentyp
Ursprünglicher Hersteller, Agentur
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle
品名
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
Strom-Collector (Ic) (Max)
-
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Strom-Collector Cutoff (Max)
-
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power-Max
-
Frequenz-Übergang
-
Betriebstemperatur
-
Befestigungstyp
Perforation
Widerstand-Basis (R1)
-
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
FET Typ
N-Channel
FET Feature
Nicht Anwendbar
Drain Quelle Spannung (Vdss)
60V
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
260mA (Ta)
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250UA
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.81nC @ 5V
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
26.7pF @ 25V
Frequenz
-
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
-
Power-Ausgang
420 mW
Spannung-Bewertet
-
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
IGBT Typ
-
Konfiguration
Nicht Anwendbar
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
-
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Eingang
-
Ntc
-
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
-
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Strom Drain (Id)-Max
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Widerstand-RDS (Auf)
-
Spannung
-
Spannung-Ausgang
-
Spannung-Offset (Vt)
-
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
-
Strom-Tal (Iv)
-
Strom-Spitzen
-
Anwendungen
-
Bom Service
Available
Product type
Electronic Component
Price
Factory Price
Grade
High Quality
Position
Hot Offer
Datasheet
Available
Transportation
DHL/Fedex/UPS/EMS etc.
Payment
T/T Credit card

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